Boron Doped Diamond Electrode

Substrate Types: Silicon or  Niobium, Usually Mono-Si or Poly-Si                                                  Fabrication Method: Hot Filament Chemical Vapor Deposition(HFCVD)                                Boron concentration: 5000-6000 ppm                                                                                                  Resistivity(Rv): 10-1000mΩ·cm                                                                                                                      Solvent window: >2.7V                                                                                                                                          Oxygen potential: ≦2.75V                                                                                                                                        Hydrogen potential: ≧-1.2V                                                                                                                                    Potential Window: ≦3.85V                                                                                                                                Nucleation side fracture stress: 500 MPa                                                                                                    Young’s modulus: 450 Gpa                                                                                                                                Thermal conductivity: 800 W/m/K